使用 微波電漿化學氣相沉積 (MPCVD) 在 2″ 矽基板上鍍鑽石膜，主要用於高功率電子元件散熱（如矽基板上直接長鑽石，Diamond on Silicon wafer）。此製程因矽與鑽石晶格不匹配與熱膨脹係數差異極大，需透過嚴謹的「成核」與「沉積」步驟來避免薄膜剝落。
Microwave 2.45GHz 6kw+ 磁控頭
| Model | MP12006 |
| 鍍膜面積 | φ2” |
| 真空系統 | 真空腔體 | 不鏽鋼圓柱形(水冷) |
| 油迴轉泵浦 | <7.5mTorr(1Pa) |
| 工作壓力 | 4-8Torr |
| 腔體漏洩率 | <1×10-8 Pa*m3/s |
| 載台直徑 | 2” (水冷) |
| 微波系統 | 工作頻率 | 2.45GHz |
| 微波源 | Sairem, 磁控頭 |
| 輸出功率 | 0.6 – 6KW |
| 氣體系統 | 質量流量計 | 4 組 |
| 測溫儀 | 測溫方式 | 紅外線測量(250-1400℃) |
| 測溫範圍 | 250-1400℃ |
| Controlling | 控制方式 | PLC+觸控螢幕 |
| 尺寸WXDXH | 1450mmx1350mm x2000mm |
| Weight | 700 KG |
利用固態微波源（Solid-State Microwave Source）驅動的微波電漿化學氣相沉積（MPCVD）系統，是目前培育高品質鑽石膜（Diamond Thin Films）的主流技術。此技術利用固態功率放大器取代傳統的磁控管，提供極高頻率穩定度與連續可調的輸出功率，以激發反應氣體產生高密度電漿，進而在基材上進行奈米或微米級的鑽石晶體沉積。
Microwave 2.45GHz 6kw 固態微波源
| Model | MP22006 |
| 鍍膜面積 | φ2” |
| 真空系統 | 真空腔體 | 不鏽鋼圓柱形(水冷) |
| 油迴轉泵浦 | <7.5mTorr(1Pa) |
| 工作壓力 | 4-8Torr |
| 腔體漏洩率 | <1×10-8 Pa*m3/s |
| 載台直徑 | 2” (水冷) |
| 微波系統 | 工作頻率 | 2.45GHz |
| 微波源 | 固態微波源 |
| 輸出功率 | 0.1 – 6KW |
| 氣體系統 | 質量流量計 | 4 組 |
| 測溫儀 | 測溫方式 | 紅外線測量(250-1400℃) |
| 測溫範圍 | 250-1400℃ |
| Controlling | 控制方式 | PLC+觸控螢幕 |
| Power supply | AC380V/12KW |
| 尺寸WXDXH | 1900mm x 800 mm x 1900mm |
| Weight | 900 KG |
